
SISS73DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISS73DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS73DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS73DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS73DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 150 V 4,4A (Ta), 16,2A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS73DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 719 pF @ 75 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 150 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,39000 $ | 3,39 $ |
| 10 | 2,15900 $ | 21,59 $ |
| 100 | 1,46030 $ | 146,03 $ |
| 500 | 1,16110 $ | 580,55 $ |
| 1 000 | 1,06487 $ | 1 064,87 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,94270 $ | 2 828,10 $ |
| 6 000 | 0,88124 $ | 5 287,44 $ |
| 9 000 | 0,84994 $ | 7 649,46 $ |
| 15 000 | 0,83742 $ | 12 561,30 $ |

