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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISS63DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS63DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS63DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 236 nC @ 8 V |
Série | Vgs (max.) ±12V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7080 pF @ 10 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,7mohms à 15A, 10V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,70000 $ | 2,70 $ |
| 10 | 1,71100 $ | 17,11 $ |
| 100 | 1,14370 $ | 114,37 $ |
| 500 | 0,90024 $ | 450,12 $ |
| 1 000 | 0,82192 $ | 821,92 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,72248 $ | 2 167,44 $ |
| 6 000 | 0,67244 $ | 4 034,64 $ |
| 9 000 | 0,64695 $ | 5 822,55 $ |
| 15 000 | 0,61832 $ | 9 274,80 $ |
| 21 000 | 0,61411 $ | 12 896,31 $ |
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