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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISS5623DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS5623DN-T1-GE3 |
Description | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS5623DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1575 pF @ 30 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 26 340
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,10000 $ | 4,10 $ |
| 10 | 2,63200 $ | 26,32 $ |
| 100 | 1,79940 $ | 179,94 $ |
| 500 | 1,44302 $ | 721,51 $ |
| 1 000 | 1,33251 $ | 1 332,51 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,18308 $ | 3 549,24 $ |
| 6 000 | 1,10995 $ | 6 659,70 $ |
| 9 000 | 1,08864 $ | 9 797,76 $ |
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