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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISS23DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS23DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS23DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±8V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8840 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohm à 20A, 4,5V |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 18 951
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,46000 $ | 2,46 $ |
| 10 | 1,56000 $ | 15,60 $ |
| 100 | 1,03820 $ | 103,82 $ |
| 500 | 0,81402 $ | 407,01 $ |
| 1 000 | 0,74187 $ | 741,87 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,65027 $ | 1 950,81 $ |
| 6 000 | 0,60416 $ | 3 624,96 $ |
| 9 000 | 0,58067 $ | 5 226,03 $ |
| 15 000 | 0,55430 $ | 8 314,50 $ |
| 21 000 | 0,54268 $ | 11 396,28 $ |
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