
SISF00DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISF00DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISF00DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 69,4W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 à canal N (double), drain commun | Boîtier PowerPAK® 1212-8SCD double |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SCD double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,76000 $ | 3,76 $ |
| 10 | 2,40700 $ | 24,07 $ |
| 100 | 1,63740 $ | 163,74 $ |
| 500 | 1,30796 $ | 653,98 $ |
| 1 000 | 1,20206 $ | 1 202,06 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,06765 $ | 3 202,95 $ |
| 6 000 | 1,00004 $ | 6 000,24 $ |
| 9 000 | 0,96717 $ | 8 704,53 $ |











