
SISF04DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISF04DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8SCD |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISF04DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2600pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 à canal N (double), drain commun | Boîtier powerPAK® 1212-8SCD |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8SCD |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Ta), 108A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 7A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,33000 $ | 3,33 $ |
| 10 | 2,12500 $ | 21,25 $ |
| 100 | 1,43610 $ | 143,61 $ |
| 500 | 1,14104 $ | 570,52 $ |
| 1 000 | 1,04614 $ | 1 046,14 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,92568 $ | 2 777,04 $ |
| 6 000 | 0,86507 $ | 5 190,42 $ |
| 9 000 | 0,83421 $ | 7 507,89 $ |
| 15 000 | 0,81990 $ | 12 298,50 $ |











