
SISA35DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISA35DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISA35DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISA35DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISA35DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 10 A (Ta), 16 A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISA35DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1500 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,2W (Ta), 24W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 9A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,20000 $ | 1,20 $ |
| 10 | 0,74500 $ | 7,45 $ |
| 100 | 0,48020 $ | 48,02 $ |
| 500 | 0,36550 $ | 182,75 $ |
| 1 000 | 0,32847 $ | 328,47 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,28140 $ | 844,20 $ |
| 6 000 | 0,25769 $ | 1 546,14 $ |
| 9 000 | 0,24560 $ | 2 210,40 $ |
| 15 000 | 0,23202 $ | 3 480,30 $ |
| 21 000 | 0,22398 $ | 4 703,58 $ |
| 30 000 | 0,21617 $ | 6 485,10 $ |


