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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIS903DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS903DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS903DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2565pF à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux P (double) | Boîtier powerPAK® 1212-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 20,1mohms à 5A, 4,5V |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 25 527
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,80000 $ | 2,80 $ |
| 10 | 1,77400 $ | 17,74 $ |
| 100 | 1,18850 $ | 118,85 $ |
| 500 | 0,93696 $ | 468,48 $ |
| 1 000 | 0,85605 $ | 856,05 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,75332 $ | 2 259,96 $ |
| 6 000 | 0,70163 $ | 4 209,78 $ |
| 9 000 | 0,67530 $ | 6 077,70 $ |
| 15 000 | 0,64573 $ | 9 685,95 $ |
| 21 000 | 0,64491 $ | 13 543,11 $ |
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