
SIS903DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS903DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS903DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 20,1mohms à 5A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 42nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2565pF à 10V | |
Puissance - Max. | 2,6W (Ta), 23W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® 1212-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® 1212-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,25000 $ | 2,25 $ |
| 10 | 1,41700 $ | 14,17 $ |
| 100 | 0,94320 $ | 94,32 $ |
| 500 | 0,73966 $ | 369,83 $ |
| 1 000 | 0,67415 $ | 674,15 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,59098 $ | 1 772,94 $ |
| 6 000 | 0,54913 $ | 3 294,78 $ |
| 9 000 | 0,52818 $ | 4 753,62 $ |











