
SIS413DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS413DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS413DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS413DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS413DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS413DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4280 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,4mohms à 15A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,94000 $ | 1,94 $ |
| 10 | 1,22100 $ | 12,21 $ |
| 100 | 0,80320 $ | 80,32 $ |
| 500 | 0,62330 $ | 311,65 $ |
| 1 000 | 0,56539 $ | 565,39 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,49183 $ | 1 475,49 $ |
| 6 000 | 0,45479 $ | 2 728,74 $ |
| 9 000 | 0,43592 $ | 3 923,28 $ |
| 15 000 | 0,41473 $ | 6 220,95 $ |
| 21 000 | 0,40218 $ | 8 445,78 $ |
| 30 000 | 0,39002 $ | 11 700,60 $ |










