
SI4477DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4477DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 26,6 A (Tc) 3W (Ta), 6,6W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4477DY-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 190 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±12V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4600 pF @ 10 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 6,6W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,2mohms à 18A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,30000 $ | 3,30 $ |
| 10 | 2,10200 $ | 21,02 $ |
| 100 | 1,42040 $ | 142,04 $ |
| 500 | 1,12802 $ | 564,01 $ |
| 1 000 | 1,03398 $ | 1 033,98 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,93223 $ | 2 330,57 $ |
| 5 000 | 0,86937 $ | 4 346,85 $ |
| 7 500 | 0,83736 $ | 6 280,20 $ |
| 12 500 | 0,80854 $ | 10 106,75 $ |




