
SI4435FDY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4435FDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 12,6 A (Tc) 4,8W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4435FDY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 19mohms à 9A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1500 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 4,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,73000 $ | 0,73 $ |
10 | 0,54500 $ | 5,45 $ |
100 | 0,34890 $ | 34,89 $ |
500 | 0,26368 $ | 131,84 $ |
1 000 | 0,22907 $ | 229,07 $ |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,19395 $ | 484,88 $ |
5 000 | 0,18173 $ | 908,65 $ |
7 500 | 0,17562 $ | 1 317,15 $ |
12 500 | 0,16790 $ | 2 098,75 $ |
17 500 | 0,16164 $ | 2 828,70 $ |
25 000 | 0,15555 $ | 3 888,75 $ |
62 500 | 0,15337 $ | 9 585,62 $ |