
SI4435FDY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4435FDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 12,6 A (Tc) 4,8W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4435FDY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 19mohms à 9A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1500 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 4,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,91000 $ | 0,91 $ |
| 10 | 0,55900 $ | 5,59 $ |
| 100 | 0,35760 $ | 35,76 $ |
| 500 | 0,27022 $ | 135,11 $ |
| 1 000 | 0,24202 $ | 242,02 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,21146 $ | 528,65 $ |
| 5 000 | 0,19254 $ | 962,70 $ |
| 7 500 | 0,18290 $ | 1 371,75 $ |
| 12 500 | 0,17206 $ | 2 150,75 $ |
| 17 500 | 0,16564 $ | 2 898,70 $ |
| 25 000 | 0,15940 $ | 3 985,00 $ |
| 62 500 | 0,14905 $ | 9 315,62 $ |










