
SI4153DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4153DY-T1-GE3 |
Description | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 14,3A (Ta), 19,3A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4153DY-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 9,5mohms à 10A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 93 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) ±25V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3600 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,93000 $ | 1,93 $ |
| 10 | 1,20700 $ | 12,07 $ |
| 100 | 0,79330 $ | 79,33 $ |
| 500 | 0,61538 $ | 307,69 $ |
| 1 000 | 0,55808 $ | 558,08 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,49603 $ | 1 240,08 $ |
| 5 000 | 0,45767 $ | 2 288,35 $ |
| 7 500 | 0,43813 $ | 3 285,98 $ |
| 12 500 | 0,41618 $ | 5 202,25 $ |
| 17 500 | 0,40318 $ | 7 055,65 $ |
| 25 000 | 0,39055 $ | 9 763,75 $ |

