
SI3421DV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3421DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3421DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3421DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3421DV-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI3421DV-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 19,2mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2580 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,15000 $ | 1,15 $ |
| 10 | 0,71500 $ | 7,15 $ |
| 100 | 0,46140 $ | 46,14 $ |
| 500 | 0,35202 $ | 176,01 $ |
| 1 000 | 0,31669 $ | 316,69 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,27180 $ | 815,40 $ |
| 6 000 | 0,24918 $ | 1 495,08 $ |
| 9 000 | 0,23766 $ | 2 138,94 $ |
| 15 000 | 0,22471 $ | 3 370,65 $ |
| 21 000 | 0,21704 $ | 4 557,84 $ |
| 30 000 | 0,20959 $ | 6 287,70 $ |











