
SI3129DV-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3129DV-T1-GE3 |
Description | P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 80 V 3,8A (Ta), 5,4A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 80 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 82,7mohms à 3,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 805 pF @ 40 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,56000 $ | 1,56 $ |
| 10 | 0,98200 $ | 9,82 $ |
| 100 | 0,64190 $ | 64,19 $ |
| 500 | 0,49582 $ | 247,91 $ |
| 1 000 | 0,44873 $ | 448,73 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,38891 $ | 1 166,73 $ |
| 6 000 | 0,35879 $ | 2 152,74 $ |
| 9 000 | 0,34344 $ | 3 090,96 $ |
| 15 000 | 0,32621 $ | 4 893,15 $ |
| 21 000 | 0,32157 $ | 6 752,97 $ |









