Canal P 60 V 1,1 A (Ta) 1,3W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
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IRFD9014PBF

Numéro de produit DigiKey
IRFD9014PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFD9014PBF
Description
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Référence client
Description détaillée
Canal P 60 V 1,1 A (Ta) 1,3W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFD9014PBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
500mohms à 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
270 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
4-HVMDIP
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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