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Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 3 326
Prix unitaire : 5,04000 $
Fiche technique
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
GP30M-E3/73 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | GP30M-E3/73GICT-ND - Bande coupée (CT) GP30M-E3/73GITB-ND - Bande et boîte |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GP30M-E3/73 |
Description | DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 3A Trou traversant DO-201AD |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 5 µs |
Série | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 1000 V |
Conditionnement Bande coupée (CT) Bande et boîte | Type de montage |
Statut du composant Actif | Boîtier |
Technologies | Boîtier fournisseur DO-201AD |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1000 V | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Numéro de produit de base |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.1 V @ 3 A |
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Substituts (15)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| GP30M-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 326 | GP30M-E3/54GICT-ND | 5,04000 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5402G | onsemi | 8 422 | 1N5402GOS-ND | 0,85000 $ | Similaire |
| 1N5402G-T | Diodes Incorporated | 1 196 | 1N5402GDICT-ND | 0,79000 $ | Similaire |
| 1N5404G | onsemi | 11 125 | 1N5404GOS-ND | 0,78000 $ | Similaire |
| 1N5404G-T | Diodes Incorporated | 36 989 | 1N5404GDICT-ND | 0,79000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et boîte
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 1,80476 $ | 3 609,52 $ |
