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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BYT56J-TR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BYT56J-TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BYT56J-TR |
Description | DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 11 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 600 V 3A Trou traversant SOD-64 |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 100 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 600 V |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 600 V | Boîtier fournisseur SOD-64 |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.4 V @ 3 A | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYT56J-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYT56J-TAP-ND | 1,70815 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5406G | onsemi | 12 751 | 1N5406GOS-ND | 0,79000 $ | Similaire |
| 1N5406RLG | onsemi | 293 360 | 1N5406RLGOSCT-ND | 0,81000 $ | Similaire |
| EGP30J | onsemi | 0 | 488-EGP30JCT-ND | 1,94000 $ | Similaire |
| MR856RLG | onsemi | 0 | MR856RLGOSTR-ND | 0,00000 $ | Similaire |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 12 500 | 1,71302 $ | 21 412,75 $ |
