Name: XPN3R804NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN3R804NCL1XHQTR-ND
Price: 2.56 CAD
Availability: InStock

Canal N 40 V 40 A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)

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XPN3R804NC,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPN3R804NCL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPN3R804NCL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPN3R804NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPN3R804NC,L1XHQ
Description	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 40 A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPN3R804NC,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Série U-MOSVIII	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2230 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 840mW (Ta), 100W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,8mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base XPN3R804
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 300µA