Name: XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN12006NCL1XHQTR-ND
Price: 2.64 CAD
Availability: InStock

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XPN12006NC,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPN12006NCL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPN12006NCL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPN12006NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPN12006NC,L1XHQ
Description	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 20A 65W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPN12006NC,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max.)	65W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	XPN12006