Name: XPJ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 3.11 CAD
Availability: InStock

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XPJ1R004PB,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPJ1R004PBLXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPJ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPJ1R004PB,LXHQ
Description	40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 160 A (Ta) 223W (Tc) Montage en surface S-TOGL™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPJ1R004PB,LXHQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 84 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6890 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 223W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur S-TOGL™
Rds On (max.) à Id, Vgs 1mohms à 80A, 10V	Boîtier 5-PowerSFN
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 500µA