Name: XPH4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND
Price: 3.8 CAD
Availability: InStock

Canal N 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)

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XPH4R10ANB,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPH4R10ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPH4R10ANB,L1XHQ
Description	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPH4R10ANB,L1XHQ Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 75 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Série U-MOSVIII-H	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4970 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 70 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,1mohms à 35A, 10V	Numéro de produit de base XPH4R10
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1mA