Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 4.77 CAD
Availability: OutOfStock

Canal N 60 V 110 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)

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XPH2R106NC,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPH2R106NC,L1XHQ
Description	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 110 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPH2R106NC,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 104 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Série U-MOSVIII-H	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6900 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1mohms à 55A, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA	Numéro de produit de base XPH2R106