Name: TW083U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083U65CRQTR-ND
Price: 36.62 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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TW083U65C,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TW083U65CRQTR-ND - Bande et bobine 264-TW083U65CRQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TW083U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TW083U65C,RQ
Description	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 28 A (Tc) 111W (Tc) Montage en surface TOLL
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	124mohms à 15A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 600µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	873 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	111W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TOLL
Boîtier	8-PowerSFN