TO-247-4
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TO-247-4
TO-247-4

TW015Z120C,S1F

Numéro de produit DigiKey
264-TW015Z120C,S1F-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TW015Z120C,S1F
Description
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) Trou traversant TO-247-4L(X)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
21mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 11,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
158 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6000 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
431W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4L(X)
Boîtier
TO-247-4
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1106,55000 $106,55 $
3085,34000 $2 560,20 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.