TRS4A65F,S1Q
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TRS12A65F,S1Q

Numéro de produit DigiKey
264-TRS12A65FS1Q-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TRS12A65F,S1Q
Description
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 12A Trou traversant TO-220F-2L
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TRS12A65F,S1Q Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.6 V @ 12 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
60 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
44pF à 650V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
Boîtier comple TO-220-2
Boîtier fournisseur
TO-220F-2L
Température de fonctionnement - Jonction
175°C (maxi)
Numéro de produit de base
TRS12A65
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
110,79000 $10,79 $
505,81820 $290,91 $
1005,33880 $533,88 $
5004,65956 $2 329,78 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.