Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 2.03 CAD
Availability: OutOfStock

Canal N 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TPN1200APL,L1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TPN1200APLL1QTR-ND - Bande et bobine 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN1200APL,L1Q
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 11,5mohms à 20A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 300µA
Série U-MOSIX-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1855 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN