Name: TPM7R10CQ5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM7R10CQ5LQTR-ND
Price: 6.16 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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TPM7R10CQ5,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPM7R10CQ5LQTR-ND - Bande et bobine 264-TPM7R10CQ5LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPM7R10CQ5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPM7R10CQ5,LQ
Description	N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 13A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 7,1mohms à 35A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,2mA
Série U-MOSX-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6800 pF @ 75 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13A (Ta), 120A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN