Name: TPH3R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R008QMLQTR-ND
Price: 3.53 CAD
Availability: OutOfStock

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TPH3R008QM,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPH3R008QMLQTR-ND - Bande et bobine 264-TPH3R008QMLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPH3R008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH3R008QM,LQ
Description	80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 100 A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3mohms à 50A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 900µA
Série U-MOSX-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 71 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7200 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN