Name: TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 2.97 CAD
Availability: InStock

Canal N 60 V 8 A (Ta) 25W (Tc) Montage en surface DPAK+

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TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Numéro de produit DigiKey	264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)TR-ND - Bande et bobine 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)CT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Description	MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 8 A (Ta) 25W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK8S06K3L(T6L1,NQ) Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 10 V
Série U-MOSIV	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 400 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 25W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur DPAK+
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Ta)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base TK8S06
Rds On (max.) à Id, Vgs 54mohms à 4A, 10V