Name: TK6R8A08QM,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R8A08QMS4X-ND
Price: 3.04 CAD
Availability: InStock

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TK6R8A08QM,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK6R8A08QMS4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK6R8A08QM,S4X
Description	UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 58 A (Tc) 41W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK6R8A08QM,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	58 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,8mohms à 29A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2700 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	41W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 14

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,04000 $	3,04 $
50	1,46940 $	73,47 $
100	1,31610 $	131,61 $
500	1,04758 $	523,79 $
1 000	0,96123 $	961,23 $
2 000	0,88860 $	1 777,20 $
5 000	0,83839 $	4 191,95 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.