


TK6A60W,S4VX | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TK6A60WS4VX-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TK6A60W,S4VX |
Description | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 6,2 A (Ta) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | TK6A60W,S4VX Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 310µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 390 pF @ 300 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 30W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-220SIS |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 750mohms à 3,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 2,57000 $ | Similaire |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 7,84000 $ | Similaire |
| STF9N60M2 | STMicroelectronics | 1 936 | 497-STF9N60M2-ND | 3,25000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,91000 $ | 4,91 $ |
| 50 | 2,44420 $ | 122,21 $ |
| 100 | 2,20370 $ | 220,37 $ |
| 500 | 1,78214 $ | 891,07 $ |
| 1 000 | 1,64670 $ | 1 646,70 $ |
| 2 000 | 1,53283 $ | 3 065,66 $ |
| 5 000 | 1,40969 $ | 7 048,45 $ |
| 10 000 | 1,40147 $ | 14 014,70 $ |

