Name: TK5R1P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5R1P08QMRQTR-ND
Price: 3.49 CAD
Availability: InStock

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TK5R1P08QM,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK5R1P08QMRQTR-ND - Bande et bobine 264-TK5R1P08QMRQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK5R1P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK5R1P08QM,RQ
Description	UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 84 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK5R1P08QM,RQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	84 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,1mohms à 42A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3980 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	104W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63