Name: TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R4P06PLRQTR-ND
Price: 3.85 CAD
Availability: InStock

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TK4R4P06PL,RQ
Numéro de produit DigiKey	TK4R4P06PLRQTR-ND - Bande et bobine TK4R4P06PLRQCT-ND - Bande coupée (CT) TK4R4P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK4R4P06PL,RQ
Description	MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 58 A (Tc) 87W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK4R4P06PL,RQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 500µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48.2 nC @ 10 V
Série U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3280 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 87W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur DPAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base TK4R4P06
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,4mohms à 29A, 10V