Name: TK40A06N1,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40A06N1S4X-ND
Price: 2.55 CAD
Availability: InStock

TK40A06N1,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK40A06N1S4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK40A06N1,S4X
Description	MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 40 A (Tc) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK40A06N1,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,4mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK40A06

En stock: 216

Expédition immédiate possible

Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,55000 $	2,55 $
50	1,47200 $	73,60 $
100	1,31820 $	131,82 $
500	1,13648 $	568,24 $
1 000	0,93617 $	936,17 $
2 000	0,88919 $	1 778,38 $
5 000	0,83703 $	4 185,15 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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