Name: TK3R2A08QM,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3R2A08QMS4X-ND
Price: 4.92 CAD
Availability: OutOfStock

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TK3R2A08QM,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK3R2A08QMS4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3R2A08QM,S4X
Description	UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 92 A (Tc) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK3R2A08QM,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	92 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,2mohms à 46A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7670 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,92000 $	4,92 $
50	2,47260 $	123,63 $
100	2,23500 $	223,50 $
500	1,81836 $	909,18 $
1 000	1,68449 $	1 684,49 $
2 000	1,62275 $	3 245,50 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.