Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 2.95 CAD
Availability: InStock

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TK3P80E,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Bande et bobine 264-TK3P80E,RQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3P80E,RQ
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 3 A (Ta) 80W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,9ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	500 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	80W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63