TO-220-3 Full Pack
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Numéro de produit DigiKey
TK3A65D(STA4QM)-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK3A65D(STA4,Q,M)
Description
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 3 A (Ta) 35W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
π-MOSVII
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,25ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
540 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220SIS
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
TK3A65
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 16
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
13,12000 $3,12 $
501,50720 $75,36 $
1001,35080 $135,08 $
5001,07636 $538,18 $
1 0000,98809 $988,09 $
2 0000,91387 $1 827,74 $
5 0000,86633 $4 331,65 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.