Name: TK33S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK33S10N1ZLQTR-ND
Price: 3.38 CAD
Availability: OutOfStock

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En stock: 1 940

Prix unitaire : 2,35000 $

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TK33S10N1Z,LQ
Numéro de produit DigiKey	TK33S10N1ZLQTR-ND - Bande et bobine TK33S10N1ZLQCT-ND - Bande coupée (CT) TK33S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK33S10N1Z,LQ
Description	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 33 A (Ta) 125W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK33S10N1Z,LQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,7mohms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2050 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK+
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	TK33S10