Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 11.86 CAD
Availability: InStock

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TK31V60X,LQ
Numéro de produit DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Bande et bobine TK31V60XLQCT-ND - Bande coupée (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK31V60X,LQ
Description	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 30,8 A (Ta) 240W (Tc) Montage en surface 4-DFN-EP (8x8)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK31V60X,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,5mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC @ 10 V
Série DTMOSIV-H	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000 pF @ 300 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 240W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur 4-DFN-EP (8x8)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30,8 A (Ta)	Boîtier 4-VSFN plot exposé
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TK31V60
Rds On (max.) à Id, Vgs 98mohms à 9,4A, 10V