Name: TK155U60Z1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK155U60Z1RQTR-ND
Price: 5.7 CAD
Availability: InStock

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TK155U60Z1,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK155U60Z1RQTR-ND - Bande et bobine 264-TK155U60Z1RQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK155U60Z1RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK155U60Z1,RQ
Description	N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 17 A (Ta) 130W (Tc) Montage en surface TOLL
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 155mohms à 5,4A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 610µA
Série DTMOSVI	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF @ 300 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 130W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Ta)	Boîtier fournisseur TOLL
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerSFN

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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TK155U60Z1,RQ