Name: TK14G65W5,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14G65W5RQTR-ND
Price: 2.42201 CAD
Availability: OutOfStock

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TK14G65W5,RQ
Numéro de produit DigiKey	TK14G65W5RQTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK14G65W5,RQ
Description	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK14G65W5,RQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	300mohms à 6,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 690µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1300 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	130W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	TK14G65

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Quantité

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Bande et bobine