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TK12A55D(STA4,Q,M)

Numéro de produit DigiKey
TK12A55D(STA4QM)-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK12A55D(STA4,Q,M)
Description
MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 550 V 12 A (Ta) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
π-MOSVII
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
550 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
570mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1550 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220SIS
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
TK12A55
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,11000 $5,11 $
502,57860 $128,93 $
1002,33240 $233,24 $
5001,90094 $950,47 $
1 0001,76233 $1 762,33 $
2 0001,71031 $3 420,62 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.