Name: TK125V65Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK125V65ZLQTR-ND
Price: 10.06 CAD
Availability: InStock

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TK125V65Z,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK125V65ZLQTR-ND - Bande et bobine 264-TK125V65ZLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK125V65ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK125V65Z,LQ
Description	MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Ta) 190W (Tc) Montage en surface 4-DFN-EP (8x8)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK125V65Z,LQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	125mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1,02mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2250 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	190W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-DFN-EP (8x8)
Boîtier	4-VSFN plot exposé
Numéro de produit de base	TK125V65