Name: TK10A80E,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A80ES4X-ND
Price: 5.34 CAD
Availability: InStock

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TK10A80E,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK10A80ES4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK10A80E,S4X
Description	MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 10 A (Ta) 50W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK10A80E,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVIII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1ohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK10A80

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,34000 $	5,34 $
50	2,69440 $	134,72 $
100	2,43930 $	243,93 $
500	1,99170 $	995,85 $
1 000	1,84794 $	1 847,94 $
2 000	1,80719 $	3 614,38 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.