Name: TK090U65Z,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK090U65ZRQTR-ND
Price: 10.98 CAD
Availability: OutOfStock

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TK090U65Z,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK090U65ZRQTR-ND - Bande et bobine 264-TK090U65ZRQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK090U65ZRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK090U65Z,RQ
Description	DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 30 A (Ta) 230W (Tc) Montage en surface TOLL
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	90mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1,27mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2780 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	230W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TOLL
Boîtier	8-PowerSFN