TK125N60Z1,S1F
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TK068N65Z5,S1F

Numéro de produit DigiKey
264-TK068N65Z5,S1F-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK068N65Z5,S1F
Description
650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 37 A (Ta) 270W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSVI
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
37 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
68mohms à 18,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 1,69mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3765 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 235
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
115,35000 $15,35 $
309,12900 $273,87 $
1207,76400 $931,68 $
5107,42065 $3 784,53 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.