TK125N60Z1,S1F
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TK042N65Z5,S1F

Numéro de produit DigiKey
264-TK042N65Z5S1F(S-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK042N65Z5,S1F
Description
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 55 A (Ta) 360W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSVI
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
55 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
42mohms à 27,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 2,85mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6280 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 3
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
120,63000 $20,63 $
3012,57800 $377,34 $
12010,89900 $1 307,88 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.