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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SSM6N35AFE,LF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SSM6N35AFELFTR-ND - Bande et bobine SSM6N35AFELFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N35AFELFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SSM6N35AFE,LF |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 250mA (Ta) 250mW Montage en surface ES6 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SSM6N35AFE,LF cms-models |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 100µA |
cms-manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,34nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 36pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 250mW |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,2V | Boîtier SOT-563, SOT-666 |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur ES6 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 250mA (Ta) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,1ohms à 150mA, 4,5V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,52000 $ | 0,52 $ |
| 10 | 0,31900 $ | 3,19 $ |
| 100 | 0,20020 $ | 20,02 $ |
| 500 | 0,14832 $ | 74,16 $ |
| 1 000 | 0,13148 $ | 131,48 $ |
| 2 000 | 0,11730 $ | 234,60 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 4 000 | 0,10534 $ | 421,36 $ |
| 8 000 | 0,09527 $ | 762,16 $ |
| 12 000 | 0,09013 $ | 1 081,56 $ |
| 20 000 | 0,08436 $ | 1 687,20 $ |
| 28 000 | 0,08094 $ | 2 266,32 $ |
| 40 000 | 0,07762 $ | 3 104,80 $ |
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