Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 1.56 CAD
Availability: InStock

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SSM6K819R,LF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM6K819RLFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM6K819RLFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6K819R,LF
Description	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 10 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25,8mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1110 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,5W (Ta)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP-F
Boîtier	6-SMD, sorties plates
Numéro de produit de base	SSM6K819