SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | FET, MOSFET simples

SSM6K211FE,LF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 3 000

Prix unitaire : 0,20921 $

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SSM6K211FE,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Bande et bobine SSM6K211FELFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6K211FE,LF
Description	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6K211FE,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Série U-MOSIII	Vgs (max.) ±10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 510 pF @ 10 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur ES6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Ta)	Boîtier SOT-563, SOT-666
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Numéro de produit de base SSM6K211
Rds On (max.) à Id, Vgs 47mohms à 2A, 4,5V